至讯创新宣布成功研制国内首款全自研中小容量 19nm 2D NAND 闪存芯片
12 月 13 日消息，至讯创新今日宣布，其自主研发的国内首款中小容量 19nm 2D NAND 闪存芯片研制成功，预计将于明年年初所有投放市场。
至讯创新表示，这是国内首款全自研、运用先进工艺的中小容量 19nm 2D NAND 闪存芯片。产品将覆盖 512Mb、1Gb 和 2Gb 容量，提供 1.8V 和 3.3V 电压，并采用串行接口 SPI 和 WSON 封装。
据介绍，其可满足消费级产品对可靠性的需求，还可达到工规和车规等高可靠性应用场景对擦写次数和数据保留的要求。至讯创新数据显示，该产品实现了芯片面积缩小 40%，I / O 速度提升 25%，擦写周期提升 70%。
中文国际了解到，官方信息显示，至讯创新成立于 2021 年 10 月，总部位于江苏无锡，在上海、深圳、香港等地均已设立分支机构。目前，至讯创新正进行 A 轮融资。
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