SK 海力士公告第 8 代 3D NAND：堆叠层数超过 300 层，可提高 SSD 性能、降低成本
3 月 18 日音讯，SK 海力士（SK Hynix）克日颁布发表第八代 3D NAND 的具体疑息，堆叠层数超越 300 层，预估将于 2024 年年末或许 2025 年年终上市出售。
中文国际从 SK 海力士民圆通告中得悉，第 8 代 3D NAND 堆叠成生超越 300 层，容量为 1Tb（128GB），具有三级单位战超越 20Gb / mm^2 的位稀度（bit density）。
该芯片的页容量（page size）为 16KB，具有 4 个 planes，接口授输速率为 2400MT / s，极下吞吐量为 194MB/s（比第 7 代 238 层 3D NAND 快 18%）。
新 NAND 的位稀度添加远一倍，意味着将明显进步新制作节面的每晶圆消费率，也将低落 SK 海力士的本钱，只是尚没有分明详细水平。
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