三星3D V-NAND技术再增强，SSD固态硬盘容量可翻番
讯8月12日消息，在美国闪存峰会（FMC）上，三星揭露旗下3DV-NAND技术再获冲破，堆叠层数从之前的非常多32层开展到了48层，在一样的芯片面积下，容量非常多可以增进两倍，而功耗低落了30%。三星的V-NAND技术摒弃了古代的浮栅极MOSFET，改用自家的电荷撷取闪存（ChargeTrapFla……
让苹果iPhone7“飞起来”：闪迪、东芝新3D NAND闪存问世
讯8月6日信息，日前，闪迪和东芝两家闪存厂家不大概而同，揭露了旗下非常新3DNAND技术的闪存芯片即将问世，速度将大幅提升，同时能耗将进一步降低。闪迪和东芝揭露开辟出了世界初次款48层3DNAND闪存，接纳3bit/cell多值化技术，容量为32GB。当前，闪迪方面曾经首先试产“256GbitX3”……
闪迪发布iNAND 7232闪存：手机中的“固态硬盘”
讯MWC2015世界挪动大会上海站将于7月15日揭幕，大会期间会有少许新产物与我们晤面。闪迪揭露，他们将推出新一代挪动装备嵌入式闪存存储计划iNAND7232。此前，闪迪曾推出iNAND7132闪存存储计划，它基于eMMC5.0HS400接口，接纳1YnmTLCNAND，领有SmartSLC缓存加快……
东芝推新一代固态混合硬盘：NAND闪存大提速
讯1月8日信息，即日，东芝为高性能PC带来了新一代固态混合硬盘，接纳东芝的19nm其次代NAND闪存技术，在增长容量的同时进步了速率。这两款固态混合硬盘划分是MQ02ABD100H和MQ02ABF050H，其中前者高9.5毫米，容量为1TB；后者高度为7毫米，500GB容量。东芝对这两款混合硬盘的定……
为eMMC5.0而生，闪迪新款iNAND闪存亮相
2月24日，。除此TF卡外，闪迪在MWC2014大会上还带来新一代iNANDExtreme至尊级eMMC闪存存储卡，支持eMMC5.0接口，高达300MB/s的读取速度，提升了I/O性能。跟着智能机等挪动装备的开展，挪动处分器、GPU显卡性能大幅提升，不过在存储介质性能上，读写性能提升较弱。当前大片……
美光宣布全球首款 232 层 TLC NAND 芯片出货
7月26日信息，本日，美光公司揭露已首先量产环球首款232层NAND，与前几代美光NAND比拟，它具有业界非常高的面密度，并供应更高的容量和更高的能效。美光技术和产物实行副总裁ScottDeBoer显露：“美光的232层NAND是存储创新的分水岭，初次证明了将3DNAND扩大到200层以上的制造才气……
美光详解全球首款 232 层 NAND：速度提升 50%，实现至上 TLC 密度
7月27日消息，昨晚，美光公司揭露环球首款232层NAND已在该公司的新加坡厂家量产，初期将以封装颗粒模式通过Crucial英睿达SSD花费产品线向客户发货。现在，美光发文说明了232层NAND的相关技术。官方显露，该技术节点到达了现今业界非常快的NANDI/O速度：2.4GB/s，比美光176层制……
SK 海力士介绍 238 层 4D NAND 闪存：传输速度提升 50%，能耗减少 21%
8月3日信息，本日早些时分，SK海力士官宣环球初次238层512GbTLC4DNAND闪存，将于来岁上半年投入量产。现在，SK海力士官方发文对其非常新技术举行了说明。据说明，SK海力士238层NAND闪存在到达业界非常高仓库层数的同时完成了环球非常小的面积。SK海力士在2018年研发的96层NAND……
消息称 NAND 闪存价格今年下半年进一步下跌，季度降幅达近 20%
在7月初，小米带来了下半年的首款重磅旗舰——小米12S系列手机，包括小米12S、小米12SPro和小米12SUltra三款机型，尤为是超大杯的小米12SUltra更是依附着一英寸的超大底主摄传感器和壮大的徕卡影像获取了恢弘用户和数码博主的好评。而在这三款机型以后，此前已首先有很多关于小米12T系列新……
美光推出业界首款基于 176 层 NAND 的数据中心 SATA SSD
谢谢中文国外网友的线索送达！6月30日信息，据美光官方信息，美光即日揭露推出环球首款专为数据中心工作负载计划的基于176层NAND技术的SATA固态硬盘(SSD)。据官方说明，美光5400SATASSD是当前最早进的数据中心SATASSD产物，接纳久经考验的第11代SATA架构，支持广泛的使用场景，……